top of page
OVEN system
IGZO高温焼成装置
概要
・液晶(LCD)工程におけるIR式高温加熱炉(450℃)。
・酸化物TFTはアモルファスシリコン（a-si）TFTより
電子の移動度が高く、多結晶シリコン（Poly-si）
TFTよりも均一性が高く、
次世代ディスプレイとして脚光を浴びている。
・熱処理時の酸化物薄膜の化学的反応を介して
自由電子が生成され、電気的特性が向上されている
酸化物TFTの製造に適用する。
特徴
・水蒸気でアニール効率を向上させることが出来る
構造。
・均一な水蒸気噴射のための独自のノズル設計。
・O₂：H₂O混合物の精密制御。
・大面積基板処理が可能。（2〜8世代）
仕様
・装置構成
投入方式：縦置き
加熱方式：遠赤外線式 電気抵抗加熱
・適用プロセス：
IGZO(In（インジウム）、Ga（ガリウム）、
Zn（亜鉛）、O（酸素））、
TFT Active layer熱処理、ESL熱処理、BCE熱処理
※詳細構造及び仕様に関しては、ご相談に応じます。
bottom of page