OVEN system
IGZO高温焼成装置

概要

・液晶(LCD)工程におけるIR式高温加熱炉(450℃)。

・酸化物TFTはアモルファスシリコン(a-si)TFTより

 電子の移動度が高く、多結晶シリコン(Poly-si)

 TFTよりも均一性が高く、
 次世代ディスプレイとして脚光を浴びている。

・熱処理時の酸化物薄膜の化学的反応を介して

 自由電子が生成され、電気的特性が向上されている

 酸化物TFTの製造に適用する。

​特徴

・水蒸気でアニール効率を向上させることが出来る

 構造。

・均一な水蒸気噴射のための独自のノズル設計。

・O₂:H₂O混合物の精密制御。

・大面積基板処理が可能。(2〜8世代)

仕様

・装置構成

 投入方式:縦置き

 加熱方式:遠赤外線式 電気抵抗加熱

・適用プロセス:

 IGZO(In(インジウム)、Ga(ガリウム)、

 Zn(亜鉛)、O(酸素))、

 TFT Active layer熱処理、ESL熱処理、BCE熱処理

※詳細構造及び仕様に関しては、ご相談に応じます

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